آرشیو بلاگ, الکترونیک

ترانزیستور های BJT

ساختمان یک ترانزیستور

ترانزیستور معمولی ، یک المان سه پایه است که از سه کریستال نیمه هادی نوع N و P ، که در کنار یکدیگر قرار میگیرند ، تشکیل شده است . ترتیب قرار گرفتن نیمه هادی ها در کنار هم ، به دو صورت انجام پذیر است :

الف) دو قطعه نیمه هادی نوع N در دوطرف و نیمه هادی نوع P در وسط.

ب) دو قطعه نیمه هادی نوع P در دوطرف و نیمه هادی نوع N در وسط.

ساختمان

در حالت (الف) ترانزیستور را NPN و در حالت (ب) ترانزیستور را PNP می نامند. شکل زیر ترتیب قرار گیری کریستال ها را کنار هم نشان می دهد :

پایه های خروجی ترانزیستور را به ترتیب  امیتر را با حرف E ، بیس را با حرف B و کلکتور را با حرف C نشان می دهند.

این نوع ترانزیستور ها را به اختصار BJT (Bipolar Junction Transistor) می نامند. عبارت Bipolar یا دوقطبی ، از عملکرد الکترون ها و حفره ها که حامل های جریان هستند ، ناشی می شود. در واقع این ترانزیستور ها با جریان کنترل می شوند که در ادامه با این مفهوم بیشتر آشنا می شویم.

 

معادل دیودی یک ترانزیستور

هر ترانزیستور ، دارای سه پایه و دو پیوند است. هر پیوند را می توان به صورت یک دیود نشان داد. در نتیجه ، معادل دیودی یک ترانزیستور به صورت دو دیود ( مطابق شکل زیر) نشان داده می شود.

معادل

 بایاس ترانزیستور

برای این که بتوان از ترانزیستور به عنوان سوییچ ، تقویت کننده و … استفاده کرد باید ترانزیستور را از نظر ولتاژ DC  تغذیه کرد ، عمل تغذیه ولتاژ پایه های ترانزیستور را بایاس ترانزیستور می نامند.

باتوجه به پایه های ترانزیستور و مدار معادل دیودی ما ۴ حالت را برای بایاسینگ ترانزیستور داریم :

الف) اتصال بیس- امیتر در بایاس مستقیم و اتصال بیس – کلکتور نیز در بایاس مستقیم است

شکل زیر این نوع بایاسینگ را نشان می دهد . مقاومت R در این شکل برای کنترل جریان به کار می رود.

بیس امیتر

در این  شکل ، در این حالت بایاسینگ ، دو جریان IE (جریانی که از امیتر عبور می کند ) و IC (جریانی که از کلکتور عبور می کند ) هر کدام مسیر جداگانه ای را در دوحلقه طی می کنند و فقط در پایه ی بیس با یکدیگر جمع می شوند و دوباره تقسیم می گردند.

در این حالت به اصطلاح میگوییم ترانزیستور در حالت سویچینگ است.

ب) اتصال بیس – امیتر در بایاس معکوس و اتصال بیس – کلکتور نیز در بایاس معکوس است.

بیس امیتر معکوس

ترانزیستور در این حالت هیچ عملی را انجام نمی دهد و در بایاس مخالف است و به اصطلاح قطع است.

ج) اتصال بیس –  امیتر در بایاس مستقیم و اتصال بیس – کلکتور در بایاس مخالف است

. در شکل زیر این حالت را مشاهده می کنید.

بیس امیتر مستقیم وبیس کلکتور بایاس مخالف

همانطور که در شکل پیداست ، دیود بیس – امیتر در بایاس موافق است ، لذا باید یک جریان در مدار بیس – امیتر داشته باشیم. ( در این قسمت استثنائا جهت جریان را در جهت واقعی الکترون ها در نظر می گیریم (

همان طوری که از شکل بالا پیداست ، الکترون های نیمه هادی N ، توسط ولتاژ منفی باتری به سمت بیس رانده  می راند

بیس امیتر مستقیم وبیس کلکتور بایاس مخالف2

در این حالت بایاسینگ میگوییم ترانزیستور در حالت تقویت کنندگی قرار دارد.

نماد فنی ترانزیستور BJT

برای ساده تر نشان دادن ترانزیستور ها از علامت اختصاری استفاده میشود. نماد فنی ترانزیستور NPN و PNP را ملاحظه میکنید.

جهت فلش در نماد فنی ترانزیستور ، نشان دهنده ی جهت دیود بیس – امیتر است.

نماد فنی

جهت جریان در ترانزیستور

جریانی که از کلکتور عبور می کند با حرف IC ، جریانی که از بیس عبور می کند با حرف IB ، جریانی که از  امیتر عبور می کند راباحرف IE نشان می دهند. همان طوری که در شکل نشان داده می شود ، جریانی که از امیتر عبور می کند ، به دو انشعاب تقسیم می شود. قسمت بسیار اعظم آن از کلکتور عبور می کند.

جهت جریان1جهت جریان2

 

 

 

 

 

نام گذاری ولتاژ های ترانزیستور

در این قسمت به نام گذاری ولتاژ قسمت های مختلف می پردازیم.

نام گزاری ولتاژ ها

ولتاژی که بین پایه های بیس و امیتر قرار میگیرد با VBE  ، ولتاژِ که در قسمت کلکتور- بیس قرار میگیرد با VCB  ، ولتاژی که بین  کلکتور – امیتر وصل می شود با VCE  ، ولتاژ منبع تغذیه ی کلکتور را با VCC و ولتاژی که انرژی بیس را تامین می کند با VBB نشان داده می شوند. شکل زیر ولتاژ قسمت های مختلف ترانزیستور را نشان می دهد . بین ولتاژ های ترانزیستور رابطه ی  VCE=VCB+VBE  برقرار است.

اتصالات مختلف ترانزیستور ها

به سه صورت امیتر مشترک ، بیس مشترک. کلکتور مشترک است. در این جا به بررسی مختصر هر کدام و سبب نام گذاری آن ها می پردازیم.

1)ترکیب امیتر مشترک ( Common Emitter )

امیتر مشترک

در این ترکیب پایه ی امیتر ، بین ورودی و خروجی مدار مشترک است و سبب نام گذاری این ترکیب نیز به دلیل مشترک بودن پایه ی امیتر است. در هر ترکیبی پایه ی مشترک را مبنا قرار می دهند و ولتاژ های نقاط مختلف را نسبت به آن اندازه می گیرند. شکل زیر ترکیب امیتر مشترک را بدون رسم سایر المان های مورد نیاز ، نشان می دهد. این ترکیب در مدارات کاربرد بیش تری دارد.

2)ترکیب بیس مشترک ( Common Base )

بیس مشترک

در این ترکیب پایه ی بیس بین ورودی و خروجی مدار مشترک است. شکل زیر این ترکیب را به طور ساده نشان   می دهد.

3)ترکیب کلکتور مشترک ( Common Collector )

کلکتور مشترک

پایه ی مشترک بین ورودی و خروجی ، در این ترکیب ، کلکتور است و به دلیل مشترک بودن پایه ی کلکتور نیز به آن کلکتور مشترک می گویند. این ترکیب را امیتر فالوور ( Emitter Follower ) نیز می گویند.

منحنی مشخصه ترانزیستور ها

روابط بین جریان ها و ولتاژ ها و تغییرات آن ها در ترانزیستور و هم چنین ضریب تقویت به عامل هایی چون درجه حرارت ، فرکانس و غیر خطی بودن المان ها بستگی دارد ( منظور از غیر خطی بودن این است که نسبت تغییرات جریان ها و ولتاژ ها تابع یک معادله ی خطی ریاضی نیست ). لذا معمولا از طریق ریاضی نمی توان مقادیر را به درستی تعیین کرد . برای به دست آوردن این رابطه ها از منحنی هایی ، که بیان کننده ی روابط بین جریان ها و ولتاژ ها (باتوجه به ترکیب ترانزیستور) می باشد، استفاده می شود.

این منحنی ها عبارت است از :

1- منحنی مشخصه ی ورودی

2- منحنی مشخصه ی انتقالی

3- منحنی مشخصه ی خروجی

حال به شرح هرکدام میپردازیم

1- منحنی مشخصه ورودی

منحنی مشخصه ی ورودی ترانزیستور بیان کننده ی مقدار جریان ورودی ، برحسب ولتاژ ورودی است . همان طوری که مدار ورودی شبیه یک دیود است منحنی مشخصه ی آن نیز شبیه منحنی مشخصه ی ولت – آمپر دیود معمولی است. شکل زیر منحنی مشخصه ی ورودی ترانزیستور AC 127 می باشد.

منحنی ورودی

این ترانزیستور از جنس ژرمانیوم است و به همین دلیل جریان بیس آن بالا است اما در ترانزیستور ها سیلیسیوم این طور نیست و جریان بیس کمتری دارند.

باید توجه داشت که در ترانزیستور منحنی مشخصه ی ورودی به ازای یک ولتاژ معین  VCE رسم می شود. اگر VCE تغییر کند منحنی مشخصه نیز کمی تغییر می کند. البته این تغییرات بسیار جزئی است و در اکثر موارد می توان ار آن صرف نظر کرد. مقدار ولتاژ VCE را ، که به ازای آن منحنی مشخصه ی ورودی رسم شده است ، کارخانه سازنده مشخص می نماید. در شکل زیر منحنی مشخصه ی ورودی به ازای VCE = 1v و VCE = 20v رسم شده است.

در شکل زیز منحنی مشخصه ی ترانزیستوری از جنس سیلیسیم رسم شده است.

منحنی ورودی2منحنی ورودی3

2- منحنی مشخصه انتقالی

 Capture1

منحنی مشخصه ی انتقالی، رابطه ی بین جریان ورودی و خروجی ترانزیستور را به ازای مقادیرثابت VCE  نشان   می دهد . شکل زیر منحنی مشخصه انتقالی ترانزیستور BC 107 را به ازای VCE = 5v نشان می دهد. چون ضریب تقویت جریان ، برابر نسبت جریان خروجی به ورودی است ، لذا از این منحنی می توان ضریب تقویت جریان را بدست آورد . ضریب تقویت جریان را با β نشان می دهند. مقدار β بستگی به مشخصات فیزیکی و ساخت ترانزیستور دارد

3- منحنی مشخصه خروجی

منحنی مشخصه ی خروجی رابطه ی بین جریان و ولتاژ خروجی به ازای جریان ورودی معین را نشان می دهد. اگر تقویت کننده امیتر مشترک باشد ( تقویت کننده ی امیتر مشترک بعدا توضیح داده خواهد شد ) جریان ورودی را  IB ، جریان خروجی IC و ولتاژ خروجی VCE خواهد بود. شکل زیر منحنی مشخصه خای خروجی ترانزیستور را به ازای جریان های IB ثابت نشان می دهد.

مقدار جریان خروجی تابع دو عامل IB و VCE است. یعنی با کم و زیاد شدن IB جریان خروجی IC نیز کم یا زیاد می شود. این مطلب در مورد VCE نیز ثابت است ، لیکن تاثیر تغییرات VCE بر IC ناچیز و در مواردی غیر قابل توجع است. از طرفی جریان IB هم به VBE بستگی دارد.

روابط قطع

خروجی1

 منحنی مشخصه ی خروجی ترانزیستور ، شامل ۳ ناحیه ی قطع ، فعال و اشباع است.

1- ناحیه قطع

 قطع2روابط قطع

ناحیه ای است که جریان بیس ، صفر و ترانزیستور هنوز به آستانه ی هدایت نرسیده است. لذا دارای مقادیر زیراست:

در شکل زیر ناحیه ی قطع را روی منحنی مشخصه ی خروجی نشان می دهد.

2- ناحیه فعال

روابط فعالفعال2

در این ناحیه ، ترانزیستور در حال هدایت است و با تغییرات زیاد VCE تغییرات جریان کلکتور کم است. ( جریان بیس ثابت است ) لذا این ناحیه دارای مشخصات زیر است :

شکل زیر ناحیه ی فعال را در روی منحنی مشخصه نشان می دهد.

3- ناحیه اشباع

روابط اشباع

ناحیه ای است که ترانزیستور در حال هدایت است ، ولی با تغییر جزئی VCE ( کسری از ولت ) تغییرات بسیار زیادی در جریان کلکتور مشاهده می شود . لذا دارای مشخصات زیر است.

اشباع3
در شکل زیر ناحیه ی اشباع روی منحنی مشخصه ، خروجی نشان داده شده است.

اشباع4
در شکل زیر ۳ ناحیه کار ترانزیستور در آن نشان داده شده است :

نقطه کار و خط بار

الف ) تعریف نقطه ی کار

به مقادیر dc  کمیت های IC – IB – VCE – VBE  در شرایطی که هیچ منبع سیگنال AC به ورودی آن متصل نباشد ،  نقطه ی کار DC ترانزیستور گویند.

در شکل زیر نقطه کار را روی منحنی مشاهده می کنید :

در شکل زیر نقطه کار را روی منحنی مشخصه ی خروجی مشاهده می کنید :
نقطه کار را با حرف Q نشان می دهند . Q  حرف اول کلمه ی Quicken Point به مفهوم نقطه کار است.

نقطه کار 2نقطه کار 1

ب ) انتخاب نقطه ی کار

برای انتخاب نقطه ی کار ، ابتدا باید محدودیت های ترانزیستور را در نطر گرفت. از جمله محدودیت ها ، تحمل توان تلف شده در ترانزیستور ، حداکثر جریان کلکتور و حداکثر ولتاژ بین کلکتور و امیتر است. نظر به این که تلفات توان توسط ترانزیستور برابر PT = VCE .IC + VBE.IB است یادآور می شود که مقدار VBE.IB کم است و معمولا از آن صرف نظر می شود.

فقطه کار 3

نقطه ی کار باید در محلی قرار گیرد که حاصل ضرب VCE.IC با ماکزیمم توان قابل تحمل ترانزیستور مساوی باشد یا کمتر باشد. رسم مشخصه ی VCE .IC در شکل زیر آمده است. در ضمن نقطه کار باید در محلی قرار گیرد که بتواند سیگنال را از دو طرف به یک اندازه تقویت کند.

خط بار :

خط بار

بر روی منحنی مشخصه ی خروجی ترانزیستور ، می توان نقاط زیادی را به عنوان نقطه ی کار انتخاب نمود. نقاط مختلف را روی منحنی مشخصه ی خروجی ترانزیستور نشان می دهند. این نقاط روی خط راست قرار ندارند و با تغییر ولتاژ منبع یا RB یا RC بدست آمده اند. اگر نقطه ی کار را به صورتی پیدا کنیم که در آن ها ولتاژ منبع تغذیه و مقاومت RC ثابت مانده باشد نقاط روی یک خط راست قرار می گیرند که به آن خط بار ترانزیستور می گویند.

معادله خط بار و نحوه رسم آن

برای رسم خط بار ابتدا باید معادله آن را بنویسیم. برای این کار ، باتوجه به جهت جریان و جهت گردش در حلقه ی خروجی از یک نقطه ( مثلا قطب منفی منبع تغذیه ) در مدار شکل زیر معادله KVL را می نویسیم.

                                                          VCC + RCIC + VCE = 0 –     

معادله خط با21معادله خط بار مدار

در معادله ی بالا RC و VCC ثابت اند ولی IC و VCE متغیر هستند.

 

 

 

 

 

 ولتاژ و جریان مورد نیاز ترانزیستور

مقدار ولتاژی که باید به قسمت های مختلف ترانزیستور یا مدارات ترانزیستوری اعمال شود یک اندازه نیست . مثلا ولتاژی که باید بین بیس و امیتر قرار گیرد ، حدود ۰٫۶۵ ولت و مقدار ولتاژی که بین کلکتور و امیتر باید قرار بگیرد حدود نصف ولتاژ منبع تغذیه است و … بنابراین مشاهده می شود که در یک مدار ترانزیستوری ، به تعداد زیادی منبع تغذیه با ولتاژ های مختلف نیاز است . تامین این همه ولتاژ های مختلف از طریق منابع تغذیه متعدد امکان پذیر نیست برای تامین ولتاژ های مورد نیاز قسمت های مختلف یک تقویت کننده به کمک فقط یک منبع تغذیه ، باید از تقسیم کننده های مقاومتی اهمی استفاده کرد . برای این منظور مقاومت هایی را با قسمت های مختلف تقویت کننده سری می کنند و با ایجاد افت ولتاژ کافی ، ولتاژ و جریان های DC مورد نیاز را به دست می آورند .

اثرات حرارت بر عملکرد ترانزیستور

 افزایش درجه حرارت بیشتر بر روی جریان معکوس پیوند بیس – کلکتور نسبت به جریان های دیگر اثر می گذارد. با توجه به اینکه پیوند بیس – کلکتور در بایاس مخالف قرار دارد جریان بسیار ضعیفی که عامل آن حامل های اقلیت هستند از کلکتور به طرف بیس جاری می شود و افزایش درجه حرارت باعث می شود که تعداد بیشتری از پیوندها شکسته شده و الکترون های بیشتری آزاد گردند و در نتیجه جریان معکوس پیوند بیس – کلکتور افزایش می یابد. این جریان را جریان قطع کلکتور نامیده و آن را با ICO  یا  ICBO نمایش می دهند.

محدودیت های ترانزیستورها

هر المان نیمه هادی ، از جمله ترانزیستور ، برای مقادیر الکتریکی مشخصی ساخته می شود. مثلاً هر ترانزیستوری را برای تحمل توان مشخصی می سازند.  اگر مقادیر الکتریکی اعمال شده به ترانزیستور بیشتر از آنچه کارخانه سازنده مشخص کرده است باشد ، ترانزیستور معیوب می شود. این مقادیر الکتریکی به مقادیر حد معروفند. کارخانجات سازنده ، حداکثر مقدار مجاز مقادیر الکتریکی را مشخص می کنند.

 مهمترین این مقادیر عبارتند از :

حداکثر ولتاژ کلکتور – امیتر:  

این پارامتر ، حداکثر ولتاژ مجاز بین پایه های کلکتور و امیتر را مشخص می کند و آن را با  VCEmax نمایش می دهند.  

حداکثر جریان کلکتور:

حداکثر جریانی است که ترانزیستور می تواند در دمای مشخص شده از طرف کارخانه سازنده ، تحمل کند و آن را با  IC max نمایش می دهند.

حداکثر توان :

حداکثر توانی است که می تواند در یک ترانزیستور به صورت حرارت تلف شود و آن را با Pmax نمایش می دهند.

حداکثر درجه حرارت محل پیوند:

حداکثر درجه حرارتی است که در محل اتصال کلکتور – بیس ، ترانزیستور می تواند تحمل کند و آن را با   Tj نمایش می دهند.

سیستم نام گذاری

 برای نامگذاری ترانزیستورها ، سه روش مشهور در دنیا وجود دارد اگر چه تعدادی از کارخانجات در گوشه و کنار دنیا از سیستم نامگذاری خاصی استفاده می کنند .

 این سه روش عبارتند از

1- روش ژاپنی        ۲- روش اروپایی        ۳- روش آمریکایی


1- روش ژاپنی

 در این سیستم ، نامگذاری ترانزیستور را با عدد ۲ شروع کرده و به دنبال آن حرف  S را می آورند . بعد از حرف S و عدد۲  یکی از حروفC ,B ,A  و  Dرا قرار می دهند که هر یک مفاهیمی به شرح زیر دارند :

A

این حرف نشان دهنده این است که ترانزیستور از نوع PNP بوده و در فرکانس های بالا نیز می تواند کار کند.

B

این حرف نشان دهنده این است که ترانزیستور از نوع PNP بوده و در فرکانس های کم می تواند کارکند.

C

این حرف نشان دهنده این است که ترانزیستور از نوع NPN بوده و در فرکانس های بالا نیز می تواند کار کند.

D

این حرف نشان دهنده این است که ترانزیستور از نوع NPN بوده و در فرکانس های کم می تواند کارکند.

بعد از این حروف تعداد ۲ یا ۳ یا ۴ رقم قرار می گیرد که با مراجعه به جدول مشخصات ترانزیستورها ، می توان مقادیر مشخصه های الکتریکی آن را بدست آورد . در این سیستم ، حروف روی ترانزیستور ، مشخص کننده جنس نیمه هادی به کار رفته ( ژرمانیوم یا سیلیسیم ) و همچنین حدود قدرت آن نمی باشد . مثلاً المان  ۲ SC829 نشان دهنده ترانزیستور از نوع NPN با محدوده فرکانسی بالا می باشد . لازم به تذکر است که بر روی اکثر ترانزیستورها ، حرف  2Sرا قید نمی نمایند . مثلاً C829 همان  2SC829می باشد.

2- روش اروپایی

در نامگذاری به روش اروپایی ، تا سال ۱۹۶۰ ، ترانزیستور را با حروف OC و  OD و با دو ، سه یا چهار عدد به دنبال آنها مشخص می کردند که OC برای ترانزیستورهای کم قدرت و OD برای ترانزیستور قدرت به کار می رفت مانند  . OC72  در این روش نامگذاری ، نوع ترانزیستور و جنس نیمه هادی به کار رفته در آن و نیز محدوده فرکانسی آن مشخص نبود . از سال ۱۹۶۰ به بعد ، سیستم نامگذاری ترانزیستورها تغییر کرد . بدین نحو که ترانزیستورهای به کار رفته در رادیو و تلویزیون و یا در وسایل الکتریکی عمومی بیشتر با دو حرف و سه شماره و ترانزیستورهای خاص با سه حرف و دو شماره مشخص می شوند مانند ترانزیستور  BUX38 که این ترانزیستور در فرکانس های رادیویی با جریان و ولتاژ زیاد به کار برده می شود . در ادامه روش نامگذاری با دو حرف و سه شماره که کاربرد بیشتری دارد بیان خواهد شد.


روش نامگذاری با دو حرف و سه شماره :

در این روش حرف اول نشان دهنده جنس نیمه هادی است که اگر ژرمانیوم باشد با حرف A و اگر سیلیسیم باشد با حرف B مشخص می شود . برای حرف دوم نیز از حروف S ، L ، F ، D ،   C و یا U  استفاده می نمایند که معانی هر یک از این حروف به شرح زیر است :

C

ترانزیستور کم قدرت با فرکانس کار کم.

D

ترانزیستور قدرت با فرکانس کار کم.

F

ترانزیستور کم قدرت با فرکانس کار زیاد

L

ترانزیستور قدرت با فرکانس کار زیاد.

S

ترانزیستور کم قدرت که به عنوان سوئیچ به کار می رود.

U

ترانزیستور قدرت که به عنوان سوئیچ به کار می رود.

سه شماره بعد ، نشان دهنده سری ترانزیستور می باشد که با استفاده از این سه شماره و جدول مشخصات ، می توان مشخصات الکتریکی ترانزیستور را بدست آورد . به عنوان مثال مشخصات ظاهری ترانزیستور BC107  عبارت است

B

جنس ترانزیستور از سیلیسیم می باشد .

C

ترانزیستور کم قدرت بوده و در فرکانس کم می تواند کار کند .

مشخصات الکتریکی را با مراجعه به کتاب مشخصات ترانزیستور و پیدا کردن جدول مربوطه به دست می آورند .
در این سیستم نامگذاری ، نوع ترانزیستور یعنی NPN و یا PNP بودن آن ، از روی حروف ترانزیستور مشخص نیست

3- روش آمریکایی

در این روش نامگذاری ، ترانزیستور را با حرف و عدد 2N مشخص می کنند و تعدادی رقم به عنوان شماره سری به دنبال آن می آورند که با توجه به این ارقام و با استفاده از جدول مشخصات ترانزیستورها ، مشخصات الکتریکی ترانزیستور را بدست می آورند . به عنوان مثال ترانزیستور N3055۲، یک ترانزیستور قدرت است که در فرکانس های کم کار می کند .

تقسیم بندی ترانزیستور بر اساس پارامتر های آن

اگر به اطلاعات نوشته شده در برگه اطلاعات ترانزیستور ها توجه شود ، مشاهده می گردد برخی مشخصات مانند ICmax ،  VCEmax ، PCmax  ، فرکانس حد و فرکانس قطع آن ها با هم متفاوت است. ترانزیستور ها براساس این پارامترها (مشخصه ها) و نوع کاربرد ، در دسته بندی های متعددی قرار می گیرند. مثلا ترانزیستور ها از نظر فرکانس به سه دسته فرکانس کم ( LF = Low Frequency ) ، فرکانس متوسط ( MF = Medium Frequency ) ، فرکانس زیاد (  HF = High Frequency) تقسیم بندی می شوند. این موضوع برای تقویت سیگنال از نظر ولتاژ ، جریان و توان نیز صدق می کند.

ترانزیستور کاربرد عمومی و سیگنال کوچک (General Purpose / Small signal Transistor)

این ترانزیستور ها برای تقویت سیگنال های با ولتاژ و جریان با دامنه کم به کار می روند و معمولا در تقویت کننده های قدرت پایین یا متوسط یا برای مدار های کلیدی به کار می روند. بدنه این ترانطیستور ها معمولا پلاستیکی یا فلزی است و حداکثر توان مجاز آن ها از ۰٫۵w تجاوز نمی کند. در شکل زیر چند نمونه از این ترانزیستور ها را مشاهده می کنید:

کاربرد عمومی1کاربرد عمومی2

ترانزیستورهای قدرت (Power Transistor)

این ترانزیستور ها قادر به تقویت سیگنال های با ولتاژ و جریان با دامنه زیاد هستند و معمولا در تقویت کننده های سیگنال بزرگ به کار می روند. حداکثر توان مجاز این ترانزیستور ها از ۰٫۵  w تا چند ده وات است.

بدنه این ترانزیستور ها که معمولا فلزی است ، به کلکتور اتصال دارد تا بتواند با محیط تبادل حرارت نماید.
در توان های زیاد ، بدنه به گرماگیر ( هیت سینک ) اتصال داده می شود.

قدرت 1قدرت 2قدرت 3

ترانزیستور های فرکانس بالا    (High Frequency Transistor)

این ترانزیستور ها به تغییر ولتاژ و شدت جریان ورودی خود که فرکانس فوق العاده زیاد دارند ، به سرعت پاسخ می دهند. مقدار فرکانس قطع این ترانزیستور ها چندین مگاهرتز تا گیگاهرتز است


 

author-avatar

درباره احمد اسلامی فر

مهندس احمد اسلامی فر متولد 15 بهمن سال 1376 کارشناس الکترونیک و دبیر اسبق انجمن علمی مهندسی برق دانشکده مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد دزفول می باشد. وی از سال 1388 فعالیت تخصصی خود را در زمینه رباتیک آغاز و دارای مقام های اول تا چهارم شهرستانی ، استانی و کشوری بوده و به 3 سال نیز به عنوان مربی و سرگروه تیم رباتیک فعالیت داشت است همچنین با توجه به علاقه شخصی خود از سال 1394 نیز به صورت تخصصی در زمینه تدریس دوره های مکالمه زبان انگلیسی در موسسات آزاد و پژوهشسرای فرهیختگان به فعالیت و تربیت دانش آموزان پرداخته است. برخی از سوابق علمی ایشان به شرح زیر است - دبیر انجمن علمی دانشگاه آزاد اسلامی از سال 1395 تا 1399 - مربی و سرتیم رباتیک و پژوهشگر محصل از سال 1390 الی 1395 - شرکت مستمر در نمایشگاه های شهرستانی از سال 1389 تا سال 1395 - حضور و شرکت در مسابقات رباتیک شهرستانی ،استانی و کشوری از سال 1388 تا سال 1395 و ... همچنین ایشان در زمینه تحقیقات و مقالات نیز فعالیت داشته و دارای تعدادی مقاله در ژورنال ملی می باشد.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *